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元件参数资料
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参数目录49520
> IRLHM620TRPBF MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
型号:
IRLHM620TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLHM620TRPBF PDF
标准包装
4,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 毫欧 @ 20A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.1V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3620pF @ 10V
功率 - 最大
2.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装
PQFN(3x3)
包装
标准包装
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